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U-NIKC P1006BD
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P1006BD |
| Código de Pieza EBEE | E83034551 |
| Paquete | TO-252-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 66A 96W 10mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | U-NIKC P1006BD | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 66A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| Disipación de energía (Pd) | 96W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 140pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.92nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
Guía de compra
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