| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | TSD5N60M |
| Código de Pieza EBEE | E8382368 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | 600V 4.5A 2.5Ω@10V,2.25A 48W 5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2317 | $ 1.1585 |
| 50+ | $0.1876 | $ 9.3800 |
| 150+ | $0.1686 | $ 25.2900 |
| 500+ | $0.1450 | $ 72.5000 |
| 2500+ | $0.1178 | $ 294.5000 |
| 5000+ | $0.1114 | $ 557.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Truesemi TSD5N60M | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 4.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,2.25A | |
| Disipación de energía (Pd) | 48W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 7pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 560pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 12nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2317 | $ 1.1585 |
| 50+ | $0.1876 | $ 9.3800 |
| 150+ | $0.1686 | $ 25.2900 |
| 500+ | $0.1450 | $ 72.5000 |
| 2500+ | $0.1178 | $ 294.5000 |
| 5000+ | $0.1114 | $ 557.0000 |
