| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | TSA50N20M |
| Código de Pieza EBEE | E83647138 |
| Paquete | TO-3P |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 200V 50A 0.046Ω@10V,50A 300W 4V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8903 | $ 0.8903 |
| 10+ | $0.7998 | $ 7.9980 |
| 30+ | $0.7510 | $ 22.5300 |
| 90+ | $0.6949 | $ 62.5410 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Truesemi TSA50N20M | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 50A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.046Ω@10V,50A | |
| Disipación de energía (Pd) | 300W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 280pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 4.01nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 244nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8903 | $ 0.8903 |
| 10+ | $0.7998 | $ 7.9980 |
| 30+ | $0.7510 | $ 22.5300 |
| 90+ | $0.6949 | $ 62.5410 |
