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TECH PUBLIC TPM2009EP3


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
TPM2009EP3
Código de Pieza EBEE
E82844728
Paquete
DFN1006-3L
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
-
Descripción
20V 660mA 700mΩ@2.5V,0.8A 100mW 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3L MOSFETs ROHS
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39640 disponible para envío inmediato
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
20+$0.0393$ 0.7860
200+$0.0316$ 6.3200
600+$0.0277$ 16.6200
2000+$0.0249$ 49.8000
10000+$0.0200$ 200.0000
20000+$0.0188$ 376.0000
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$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaTransestantes/Thyristors ,MOSFETs
Hoja de DatosTECH PUBLIC TPM2009EP3
RoHS
TipoP-Channel
RDS (on)950mΩ@1.8V
Temperatura de funcionamiento --55℃~+150℃
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)15pF
Number1 P-Channel
Pd - Power Dissipation100mW
Drain to Source Voltage20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.1V
Current - Continuous Drain(Id)660mA
Ciss-Input Capacitance170pF
Output Capacitance(Coss)25pF
Gate Charge(Qg)-

Guía de compra

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