| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC4D20120H |
| Código de Pieza EBEE | E87435089 |
| Paquete | TO-247-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 1.2kV 1.5V 54A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7203 | $ 2.7203 |
| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
| 90+ | $1.5382 | $ 138.4380 |
| 600+ | $1.4290 | $ 857.4000 |
| 900+ | $1.3800 | $ 1242.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,SiC Diodes | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC4D20120H | |
| RoHS | ||
| Corriente de fuga inversa (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tensión - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 54A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7203 | $ 2.7203 |
| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
| 90+ | $1.5382 | $ 138.4380 |
| 600+ | $1.4290 | $ 857.4000 |
| 900+ | $1.3800 | $ 1242.0000 |
