| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC4D10120H |
| Código de Pieza EBEE | E87435087 |
| Paquete | TO-247-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 1.2kV 1.5V 31.5A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1676 | $ 2.1676 |
| 10+ | $1.8311 | $ 18.3110 |
| 30+ | $1.5870 | $ 47.6100 |
| 90+ | $1.3717 | $ 123.4530 |
| 600+ | $1.2744 | $ 764.6400 |
| 900+ | $1.2330 | $ 1109.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,SiC Diodes | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC4D10120H | |
| RoHS | ||
| Corriente de fuga inversa (Ir) | 250uA@1200V | |
| Tensión - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 31.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 67A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1676 | $ 2.1676 |
| 10+ | $1.8311 | $ 18.3110 |
| 30+ | $1.5870 | $ 47.6100 |
| 90+ | $1.3717 | $ 123.4530 |
| 600+ | $1.2744 | $ 764.6400 |
| 900+ | $1.2330 | $ 1109.7000 |
