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STMicroelectronics STP18N65M2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP18N65M2 |
| Código de Pieza EBEE | E8222137 |
| Paquete | TO-220-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 12A 0.33Ω@10V,6A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | ||
| Hoja de Datos | ST STP18N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.33Ω@10V,6A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 770pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
