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STMicroelectronics STP110N8F6
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP110N8F6 |
| Código de Pieza EBEE | E881146 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 80V 110A 6.5mΩ@10V,55A 200W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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| 10+ | $0.9108 | $ 9.1080 |
| 50+ | $0.7405 | $ 37.0250 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | STMicroelectronics STP110N8F6 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 6.5mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 225pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 320pF | |
| Gate Charge(Qg) | 150nC@10V |
Guía de compra
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