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STMicroelectronics STGB19NC60KDT4


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
STGB19NC60KDT4
Código de Pieza EBEE
E8314017
Paquete
D2PAK
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
125W 35A 600V D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS
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TipoDescripción
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CategoríaTransestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos
Hoja de DatosSTMicroelectronics STGB19NC60KDT4
RoHS
Temperatura de funcionamiento-55℃~+150℃@(Tj)
Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces)600V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic)2.75V@15V,12A
Pd - Power Dissipation125W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)55nC
Td(off)105ns
Td(on)30ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)28pF
Reverse Recovery Time(trr)31ns
Switching Energy(Eoff)255uJ
Turn-On Energy (Eon)165uJ
Input Capacitance(Cies)1.17nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)50A
Output Capacitance(Coes)127pF

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