| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD95N4F3 |
| Código de Pieza EBEE | E8411389 |
| Paquete | DPAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 40V 80A 5mΩ@10V,40A 110W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6887 | $ 1.6887 |
| 10+ | $1.6526 | $ 16.5260 |
| 30+ | $1.6273 | $ 48.8190 |
| 100+ | $1.5262 | $ 152.6200 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD95N4F3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 40V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 80A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5mΩ@10V,40A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 40pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.2nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 54nC@20V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6887 | $ 1.6887 |
| 10+ | $1.6526 | $ 16.5260 |
| 30+ | $1.6273 | $ 48.8190 |
| 100+ | $1.5262 | $ 152.6200 |
