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STMicroelectronics STD7N80K5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD7N80K5 |
| Código de Pieza EBEE | E8457497 |
| Paquete | DPAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 6A 110W 0.95Ω@10V,3A 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD7N80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.95Ω@10V,3A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@100uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 360pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 13.4nC@640V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
