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STMicroelectronics STD5N60DM2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD5N60DM2 |
| Código de Pieza EBEE | E8500960 |
| Paquete | DPAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 3.5A 1.38Ω@10V,1.75A 45W 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5911 | $ 0.5911 |
| 10+ | $0.5787 | $ 5.7870 |
| 30+ | $0.5698 | $ 17.0940 |
| 100+ | $0.5627 | $ 56.2700 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD5N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 3.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.38Ω@10V,1.75A | |
| Disipación de energía (Pd) | 45W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3.5pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 214pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | - |
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| 30+ | $0.5698 | $ 17.0940 |
| 100+ | $0.5627 | $ 56.2700 |
