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STMicroelectronics STD4N90K5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD4N90K5 |
| Código de Pieza EBEE | E8500958 |
| Paquete | DPAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 900V 3A 2.1Ω@10V,1A 60W 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1389 | $ 2.1389 |
| 10+ | $1.8602 | $ 18.6020 |
| 30+ | $1.6862 | $ 50.5860 |
| 100+ | $1.5088 | $ 150.8800 |
| 500+ | $1.4272 | $ 713.6000 |
| 1000+ | $1.3916 | $ 1391.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD4N90K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 900V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.1Ω@10V,1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 60W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@100uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 173pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 5.3nC@720V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1389 | $ 2.1389 |
| 10+ | $1.8602 | $ 18.6020 |
| 30+ | $1.6862 | $ 50.5860 |
| 100+ | $1.5088 | $ 150.8800 |
| 500+ | $1.4272 | $ 713.6000 |
| 1000+ | $1.3916 | $ 1391.6000 |
