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STMicroelectronics STD3N62K3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD3N62K3 |
| Código de Pieza EBEE | E82971181 |
| Paquete | DPAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 620V 2.7A 2.5Ω@10V,1.4A 45W 4.5V@50uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9373 | $ 0.9373 |
| 200+ | $0.3629 | $ 72.5800 |
| 500+ | $0.3502 | $ 175.1000 |
| 1000+ | $0.3447 | $ 344.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD3N62K3 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 620V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 2.7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,1.4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 45W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.5V@50uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 385pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 13nC@10V |
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