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STMicroelectronics STD2N62K3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD2N62K3 |
| Código de Pieza EBEE | E8155564 |
| Paquete | TO-252-2(DPAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 620V 2.2A 45W 3.6Ω@10V,1.1A 4.5V@50uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0242 | $ 1.0242 |
| 10+ | $0.8592 | $ 8.5920 |
| 30+ | $0.7757 | $ 23.2710 |
| 100+ | $0.6940 | $ 69.4000 |
| 500+ | $0.6443 | $ 322.1500 |
| 1000+ | $0.6195 | $ 619.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD2N62K3 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 620V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 2.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.6Ω@10V,1.1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 45W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.5V@50uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 340pF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 15nC@10V |
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| 100+ | $0.6940 | $ 69.4000 |
| 500+ | $0.6443 | $ 322.1500 |
| 1000+ | $0.6195 | $ 619.5000 |
