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STMicroelectronics STD10P10F6
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD10P10F6 |
| Código de Pieza EBEE | E82971627 |
| Paquete | TO-252-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 10A 0.18Ω@10V,5A 40W 2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3625 | $ 0.3625 |
| 10+ | $0.3536 | $ 3.5360 |
| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD10P10F6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.18Ω@10V,5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 40W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 25pF@80V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 864pF@80V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
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| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
