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STMicroelectronics STB35N65DM2


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
STB35N65DM2
Código de Pieza EBEE
E85268669
Paquete
D2PAK
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
650V 32A 250W 0.093Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS
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Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$3.6150$ 3.6150
10+$3.0641$ 30.6410
30+$2.7360$ 82.0800
100+$2.4049$ 240.4900
500+$2.2517$ 1125.8500
1000+$2.1820$ 2182.0000
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$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Hoja de DatosST STB35N65DM2
RoHS
RDS (on)93mΩ@10V
Temperatura de funcionamiento --55℃~+150℃
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)2.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation250W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)32A
Ciss-Input Capacitance2.54nF
Gate Charge(Qg)56.3nC@520V

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