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Solid State System 2N2102
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | 2N2102 |
| Código de Pieza EBEE | E85487511 |
| Paquete | TO-39 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 65V 1mW 40@150mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | Solid State System 2N2102 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1mW | |
| Coleccionista Cut-Off Corriente (Icbo) | 2nA | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 65V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Frecuencia de transición (fT) | 60MHz | |
| Voltaje de Saturación Coleccionista-Emitador (VCE(sat) Ic, Ib) | 500mV@15mA,150mA | |
| Tipo de transistor | NPN |
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| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
