| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SE40P20B |
| Código de Pieza EBEE | E8396091 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 40V 20A 26mΩ@10V,5A 80W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1800 | $ 0.9000 |
| 50+ | $0.1411 | $ 7.0550 |
| 150+ | $0.1244 | $ 18.6600 |
| 500+ | $0.1037 | $ 51.8500 |
| 2500+ | $0.0940 | $ 235.0000 |
| 5000+ | $0.0884 | $ 442.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | SINO-IC SE40P20B | |
| RoHS | ||
| Tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 32mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 310pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.96nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1800 | $ 0.9000 |
| 50+ | $0.1411 | $ 7.0550 |
| 150+ | $0.1244 | $ 18.6600 |
| 500+ | $0.1037 | $ 51.8500 |
| 2500+ | $0.0940 | $ 235.0000 |
| 5000+ | $0.0884 | $ 442.0000 |
