| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RU6080L |
| Código de Pieza EBEE | E8180977 |
| Paquete | TO-252-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 60V 80A 7mΩ@10V,30A 125W 3V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3118 | $ 0.3118 |
| 10+ | $0.2720 | $ 2.7200 |
| 30+ | $0.2538 | $ 7.6140 |
| 100+ | $0.2321 | $ 23.2100 |
| 500+ | $0.2248 | $ 112.4000 |
| 1000+ | $0.2193 | $ 219.3000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Shenzhen ruichips Semicon RU6080L | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 80A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 7mΩ@10V,30A | |
| Disipación de energía (Pd) | 125W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 140pF@30V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.84nF@30V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 55nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3118 | $ 0.3118 |
| 10+ | $0.2720 | $ 2.7200 |
| 30+ | $0.2538 | $ 7.6140 |
| 100+ | $0.2321 | $ 23.2100 |
| 500+ | $0.2248 | $ 112.4000 |
| 1000+ | $0.2193 | $ 219.3000 |
