| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RU40191S-R |
| Código de Pieza EBEE | E82803363 |
| Paquete | TO-263 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 40V 190A 1.8mΩ@10V,75A 150W 2V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0602 | $ 1.0602 |
| 10+ | $0.8796 | $ 8.7960 |
| 30+ | $0.7892 | $ 23.6760 |
| 100+ | $0.7008 | $ 70.0800 |
| 500+ | $0.6087 | $ 304.3500 |
| 800+ | $0.5816 | $ 465.2800 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Shenzhen ruichips Semicon RU40191S-R | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 40V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 190A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.8mΩ@10V,75A | |
| Disipación de energía (Pd) | 150W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 480pF@20V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 4.8nF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 120nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0602 | $ 1.0602 |
| 10+ | $0.8796 | $ 8.7960 |
| 30+ | $0.7892 | $ 23.6760 |
| 100+ | $0.7008 | $ 70.0800 |
| 500+ | $0.6087 | $ 304.3500 |
| 800+ | $0.5816 | $ 465.2800 |
