| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PNMT8N1 |
| Código de Pieza EBEE | E8110718 |
| Paquete | DFN-10-EP(2x3) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 300mA 150mW 500mΩ@4V,300mA 1.1V@1mA 1 N-channel DFN-10-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0869 | $ 0.4345 |
| 50+ | $0.0710 | $ 3.5500 |
| 150+ | $0.0630 | $ 9.4500 |
| 500+ | $0.0569 | $ 28.4500 |
| 3000+ | $0.0522 | $ 156.6000 |
| 6000+ | $0.0498 | $ 298.8000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 300mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@4V,300mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 150mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.1V@1mA |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0869 | $ 0.4345 |
| 50+ | $0.0710 | $ 3.5500 |
| 150+ | $0.0630 | $ 9.4500 |
| 500+ | $0.0569 | $ 28.4500 |
| 3000+ | $0.0522 | $ 156.6000 |
| 6000+ | $0.0498 | $ 298.8000 |
