| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PDNM6ET20V05 |
| Código de Pieza EBEE | E8918811 |
| Paquete | SOT-563 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 500mA 650mV@250uA 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1217 | $ 0.6085 |
| 50+ | $0.0994 | $ 4.9700 |
| 150+ | $0.0881 | $ 13.2150 |
| 500+ | $0.0797 | $ 39.8500 |
| 3000+ | $0.0730 | $ 219.0000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Shanghai Prisemi Elec PDNM6ET20V05 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 500mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Disipación de energía (Pd) | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 650mV@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | - | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | - |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1217 | $ 0.6085 |
| 50+ | $0.0994 | $ 4.9700 |
| 150+ | $0.0881 | $ 13.2150 |
| 500+ | $0.0797 | $ 39.8500 |
| 3000+ | $0.0730 | $ 219.0000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
