| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | D7N65 |
| Código de Pieza EBEE | E82935479 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V 7A 32W 1.3Ω@10V,3.5A 4V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2668 | $ 1.3340 |
| 50+ | $0.2086 | $ 10.4300 |
| 150+ | $0.1836 | $ 27.5400 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1386 | $ 346.5000 |
| 5000+ | $0.1303 | $ 651.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Shandong Jingdao Microelectronics D7N65 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.3Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2668 | $ 1.3340 |
| 50+ | $0.2086 | $ 10.4300 |
| 150+ | $0.1836 | $ 27.5400 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1386 | $ 346.5000 |
| 5000+ | $0.1303 | $ 651.5000 |
