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Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | D3R6N30 |
| Código de Pieza EBEE | E85156807 |
| Paquete | TO-252W |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 30V 80A 82W 3.6mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1277 | $ 0.6385 |
| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
| 500+ | $0.0789 | $ 39.4500 |
| 2500+ | $0.0678 | $ 169.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 3.6mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 206pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.414nF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
Guía de compra
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