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Shandong Jingdao Microelectronics D2N65
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | D2N65 |
| Código de Pieza EBEE | E82875694 |
| Paquete | TO-252-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V 2A 4.3Ω@10V,2A 32W 4V@250uA TO-252-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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| 5+ | $0.1140 | $ 0.5700 |
| 50+ | $0.0914 | $ 4.5700 |
| 150+ | $0.0801 | $ 12.0150 |
| 500+ | $0.0716 | $ 35.8000 |
| 2500+ | $0.0599 | $ 149.7500 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Shandong Jingdao Microelectronics D2N65 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 4.3Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.97nC@10V |
Guía de compra
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| 150+ | $0.0801 | $ 12.0150 |
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