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SemiQ GCMS080B120S1-E1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GCMS080B120S1-E1 |
| Código de Pieza EBEE | E86564311 |
| Paquete | SOT-227 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1.2kV 30A 142W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $49.9392 | $ 49.9392 |
| 200+ | $19.9277 | $ 3985.5400 |
| 500+ | $19.2601 | $ 9630.0500 |
| 1000+ | $18.9325 | $ 18932.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | SemiQ GCMS080B120S1-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1.2kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Disipación de energía (Pd) | 142W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.8V@10mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.374nF@1000V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 58nC@20V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 1+ | $49.9392 | $ 49.9392 |
| 200+ | $19.9277 | $ 3985.5400 |
| 500+ | $19.2601 | $ 9630.0500 |
| 1000+ | $18.9325 | $ 18932.5000 |
