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Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | K4FBE3D4HM-MGCJ |
| Código de Pieza EBEE | E819188580 |
| Paquete | BGA-200 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | BGA-200 DRAM ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.8096 | $ 67.8096 |
| 30+ | $64.5832 | $ 1937.4960 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Memoria ,DRAM | |
| Hoja de Datos | Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -25℃~+85℃ | |
| Tensión - Suministro | 1.7V~1.95V;1.06V~1.17V | |
| Tamaño de la memoria | 32Gbit | |
| Formato de memoria | LPDDR4 SDRAM | |
| Actualizar la corriente | 1mA;2.7mA;400uA | |
| Corriente - Suministro | 10mA;65mA;500uA |
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