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ROHM Semicon RV2C010UNT2L
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RV2C010UNT2L |
| Código de Pieza EBEE | E8570828 |
| Paquete | X2-DFN1006-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 20V 1A 470mΩ@4.5V,500mA 400mW 1V@1mA 1 N-Channel X2-DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ROHM Semicon RV2C010UNT2L | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 1A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 470mΩ@4.5V,500mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 400mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@1mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 8pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 40pF@0V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | - |
Guía de compra
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