| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RQ3E130MNTB1 |
| Código de Pieza EBEE | E8308745 |
| Paquete | HSMT-8(3x3.2) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ROHM Semicon RQ3E130MNTB1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 13A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.1mΩ@10V,13A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@1mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 90pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 840pF@0V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 6.6nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
