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ROHM Semicon RQ3E130MNTB1


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
RQ3E130MNTB1
Código de Pieza EBEE
E8308745
Paquete
HSMT-8(3x3.2)
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS
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500+$0.2276$ 113.8000
1000+$0.2222$ 222.2000
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TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaTransestantes/Thyristors ,MOSFETs
Hoja de DatosROHM Semicon RQ3E130MNTB1
RoHS
Temperatura de funcionamiento-55℃~+150℃
Tipo1 N-Channel
Drenin Source Voltage (Vdss)30V
Corriente de drenaje continuo (Id)13A
Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id)8.1mΩ@10V,13A
Disipación de energía (Pd)2W
Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id)2.5V@1mA
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)90pF
Capacitación de entradas (Ciss-Vds)840pF@0V
Total Gate Charge (Qg-Vgs)6.6nC@10V

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