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ROHM Semicon RGT50NS65DGTL
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RGT50NS65DGTL |
| Código de Pieza EBEE | E8308739 |
| Paquete | TO-263-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 194W 48A 650V FS(Field Stop) TO-263-2 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5766 | $ 3.5766 |
| 10+ | $3.1185 | $ 31.1850 |
| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | ROHM Semicon RGT50NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | FS(Field Stop) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 48A | |
| Disipación de energía (Pd) | 194W | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Capacitación de entrada (Cies-Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | - | |
| Diode Tiempo de recuperación inversa (Trr) | 58ns | |
| Turno? en Switching Pérdida (Eon) | - |
Guía de compra
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| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
