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ROHM Semicon RGT16TM65DGC9
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RGT16TM65DGC9 |
| Código de Pieza EBEE | E817529353 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 22W 9A 650V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2230 | $ 1.2230 |
| 200+ | $0.4892 | $ 97.8400 |
| 500+ | $0.4729 | $ 236.4500 |
| 1000+ | $0.4637 | $ 463.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | ROHM Semicon RGT16TM65DGC9 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | FS(Field Stop) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 9A | |
| Disipación de energía (Pd) | 22W | |
| Turno? fuera de horario de demora (Td(off)) | 33ns | |
| Turno? en Tiempo de retardo (Td(on)) | 13ns | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 2.1V@15V,8A | |
| Total Gate Charge (Qg-Ic,Vge) | 21nC | |
| Diode Tiempo de recuperación inversa (Trr) | 42ns | |
| Turno? Desconseos de la pérdida de apagado (Eoff) | - | |
| Turno? en Switching Pérdida (Eon) | - |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2230 | $ 1.2230 |
| 200+ | $0.4892 | $ 97.8400 |
| 500+ | $0.4729 | $ 236.4500 |
| 1000+ | $0.4637 | $ 463.7000 |
