| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RGS80TSX2DHRC11 |
| Código de Pieza EBEE | E8507505 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 555W 80A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6033 | $ 4.6033 |
| 10+ | $4.0578 | $ 40.5780 |
| 30+ | $3.3358 | $ 100.0740 |
| 100+ | $3.0077 | $ 300.7700 |
| 500+ | $2.8561 | $ 1428.0500 |
| 1000+ | $2.7884 | $ 2788.4000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | ROHM Semicon RGS80TSX2DHRC11 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | FS(Field Stop) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 80A | |
| Disipación de energía (Pd) | 555W | |
| Turno? fuera de horario de demora (Td(off)) | 199ns | |
| Turno? en Tiempo de retardo (Td(on)) | 49ns | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Capacitación de entrada (Cies-Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 2.1V@15V,40A | |
| Total Gate Charge (Qg-Ic,Vge) | 104nC | |
| Diode Tiempo de recuperación inversa (Trr) | 198ns | |
| Turno? Desconseos de la pérdida de apagado (Eoff) | 3.1mJ | |
| Turno? en Switching Pérdida (Eon) | 3mJ |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6033 | $ 4.6033 |
| 10+ | $4.0578 | $ 40.5780 |
| 30+ | $3.3358 | $ 100.0740 |
| 100+ | $3.0077 | $ 300.7700 |
| 500+ | $2.8561 | $ 1428.0500 |
| 1000+ | $2.7884 | $ 2788.4000 |
