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RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 |
| Código de Pieza EBEE | E83193702 |
| Paquete | TO-247A |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 312W 150A 650V TO-247A IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Tipo | - | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 150A | |
| Disipación de energía (Pd) | 312W | |
| Turno? fuera de horario de demora (Td(off)) | 113ns | |
| Turno? en Tiempo de retardo (Td(on)) | 29ns | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Capacitación de entrada (Cies-Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 2V@15V,75A | |
| Total Gate Charge (Qg-Ic,Vge) | 54nC | |
| Diode Tiempo de recuperación inversa (Trr) | 72ns | |
| Turno? Desconseos de la pérdida de apagado (Eoff) | 1mJ | |
| Turno? en Switching Pérdida (Eon) | 1.6mJ |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
