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RENESAS NP32N055SDE-E1-AZ
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NP32N055SDE-E1-AZ |
| Código de Pieza EBEE | E87321217 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 55V 32A 24mΩ@10V,16A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2571 | $ 3.2571 |
| 200+ | $1.3001 | $ 260.0200 |
| 500+ | $1.2566 | $ 628.3000 |
| 1000+ | $1.2357 | $ 1235.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | RENESAS NP32N055SDE-E1-AZ | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 55V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 32A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 24mΩ@10V,16A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.2W;66W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 41nC@10V |
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| 500+ | $1.2566 | $ 628.3000 |
| 1000+ | $1.2357 | $ 1235.7000 |
