Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NP160N055TUJ-E1-AY |
| Código de Pieza EBEE | E87321208 |
| Paquete | TO-263-6 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 55V 160A 3mΩ@10V,80A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-6 MOSFETs ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 55V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 160A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3mΩ@10V,80A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.8W;250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 10.35nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 180nC@10V |
Guía de compra
Expandir
En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
