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RENESAS NP100P04PDG-E1-AY
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NP100P04PDG-E1-AY |
| Código de Pieza EBEE | E83281533 |
| Paquete | TO-263 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 40V 100A 3.5mΩ@10V,50A 200W 1V@1mA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | RENESAS NP100P04PDG-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 5.1mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1.13nF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 15.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 320nC@32V |
Guía de compra
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