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PN Junction Semiconductor P3M12080G7
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P3M12080G7 |
| Código de Pieza EBEE | E87256048 |
| Paquete | D2PAK-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 1.2kV 32A 96mΩ@15V,20A 136W 2.2V@30mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1511 | $ 31.1511 |
| 200+ | $12.4308 | $ 2486.1600 |
| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P3M12080G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1.2kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 32A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 96mΩ@15V,20A | |
| Disipación de energía (Pd) | 136W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.2V@30mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 6pF@800V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2032pF@800V |
Guía de compra
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| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
