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PN Junction Semiconductor P3M12025K4
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P3M12025K4 |
| Código de Pieza EBEE | E86352269 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 1.2kV 112A 577W 35mΩ@15V,50A 2.2V@50mA 1 N-channel TO-247-4L MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $83.1105 | $ 83.1105 |
| 200+ | $33.1627 | $ 6632.5400 |
| 500+ | $32.0542 | $ 16027.1000 |
| 1000+ | $31.5070 | $ 31507.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P3M12025K4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1.2kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 112A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@15V,50A | |
| Disipación de energía (Pd) | 577W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.2V@50mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 18pF@800V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 6775pF@800V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | - |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $83.1105 | $ 83.1105 |
| 200+ | $33.1627 | $ 6632.5400 |
| 500+ | $32.0542 | $ 16027.1000 |
| 1000+ | $31.5070 | $ 31507.0000 |
