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PN Junction Semiconductor P3M06120T3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P3M06120T3 |
| Código de Pieza EBEE | E87323805 |
| Paquete | TO-220-2L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 650V 29A 158mΩ@15V,10A 153W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P3M06120T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 29A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 158mΩ@15V,10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 153W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.8V@5mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 8.6pF@400V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 31.6nC@15V |
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| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
