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PN Junction Semiconductor P3M06120K3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P3M06120K3 |
| Código de Pieza EBEE | E86729731 |
| Paquete | TO-247-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 650V 27A 158mΩ@15V,10A 131W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.4204 | $ 27.4204 |
| 200+ | $10.9412 | $ 2188.2400 |
| 500+ | $10.5761 | $ 5288.0500 |
| 1000+ | $10.3954 | $ 10395.4000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P3M06120K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 27A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 158mΩ@15V,10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 131W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.8V@5mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 8.6pF@400V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 31.6nC@15V |
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| 500+ | $10.5761 | $ 5288.0500 |
| 1000+ | $10.3954 | $ 10395.4000 |
