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PN Junction Semiconductor P3M06060G7
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P3M06060G7 |
| Código de Pieza EBEE | E86625354 |
| Paquete | D2PAK-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 44A 159W 79mΩ@15V,20A 1.8V@20mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0168 | $ 30.0168 |
| 200+ | $11.9785 | $ 2395.7000 |
| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P3M06060G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 44A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 79mΩ@15V,20A | |
| Disipación de energía (Pd) | 159W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.8V@20mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 15.3pF@400V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1911pF@400V |
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| 1+ | $30.0168 | $ 30.0168 |
| 200+ | $11.9785 | $ 2395.7000 |
| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
