| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PJM10H01PSA |
| Código de Pieza EBEE | E82838029 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 100V 1A 650mΩ@10V,1A 500mW 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0680 | $ 1.3600 |
| 200+ | $0.0541 | $ 10.8200 |
| 600+ | $0.0472 | $ 28.3200 |
| 3000+ | $0.0387 | $ 116.1000 |
| 9000+ | $0.0345 | $ 310.5000 |
| 21000+ | $0.0324 | $ 680.4000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PJSEMI PJM10H01PSA | |
| RoHS | ||
| Tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 650mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0680 | $ 1.3600 |
| 200+ | $0.0541 | $ 10.8200 |
| 600+ | $0.0472 | $ 28.3200 |
| 3000+ | $0.0387 | $ 116.1000 |
| 9000+ | $0.0345 | $ 310.5000 |
| 21000+ | $0.0324 | $ 680.4000 |
