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PIP PTW69N30
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PTW69N30 |
| Código de Pieza EBEE | E8575802 |
| Paquete | TO-3P-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 300V 69A 35mΩ@10V,35A 520W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PIP PTW69N30 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 300V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 69A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@10V,35A | |
| Disipación de energía (Pd) | 520W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 130pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | - | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 150nC@150V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
