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PIP PTA10N80


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
PTA10N80
Código de Pieza EBEE
E8343859
Paquete
TO-220F-3
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
800V 10A 55W 1Ω@10V,4A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
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TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaTransestantes/Thyristors ,MOSFETs
Hoja de DatosPIP PTA10N80
RoHS
Temperatura de funcionamiento-55℃~+150℃
Tipo1 N-channel
Drenin Source Voltage (Vdss)800V
Corriente de drenaje continuo (Id)10A
Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id)1Ω@10V,4A
Disipación de energía (Pd)55W
Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id)2V@250uA
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)25pF@25V
Capacitación de entradas (Ciss-Vds)2.9nF
Total Gate Charge (Qg-Vgs)60nC@10V

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