| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PTA10N80 |
| Código de Pieza EBEE | E8343859 |
| Paquete | TO-220F-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 10A 55W 1Ω@10V,4A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5166 | $ 0.5166 |
| 10+ | $0.5058 | $ 5.0580 |
| 30+ | $0.4967 | $ 14.9010 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | PIP PTA10N80 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1Ω@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 55W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 25pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.9nF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5166 | $ 0.5166 |
| 10+ | $0.5058 | $ 5.0580 |
| 30+ | $0.4967 | $ 14.9010 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
