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onsemi NTMFS4C08NAT1G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NTMFS4C08NAT1G |
| Código de Pieza EBEE | E8900287 |
| Paquete | SO-8FL |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 4.6mΩ@10V,18A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8FL MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5141 | $ 1.5141 |
| 200+ | $0.5858 | $ 117.1600 |
| 500+ | $0.5663 | $ 283.1500 |
| 1500+ | $0.5557 | $ 833.5500 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | ||
| Hoja de Datos | onsemi NTMFS4C08NAT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 16.4A;52A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,18A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2.51W;25.5W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 39pF@15V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.67nF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 18.2nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5141 | $ 1.5141 |
| 200+ | $0.5858 | $ 117.1600 |
| 500+ | $0.5663 | $ 283.1500 |
| 1500+ | $0.5557 | $ 833.5500 |
