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onsemi MURA110T3G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MURA110T3G |
| Código de Pieza EBEE | E823915 |
| Paquete | SMA |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 875mV@1A 30ns 2A 100V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Hoja de Datos | onsemi MURA110T3G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@100V | |
| Diode Configuration | - | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@1A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
Guía de compra
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