Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos

onsemi MUN5211DW1T1G


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
MUN5211DW1T1G
Código de Pieza EBEE
E8152507
Paquete
SOT-363
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
[email protected],10V 187mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>
10290 En Stock para Envío Rápido
10290 disponible para envío inmediato
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
10+$0.0707$ 0.7070
100+$0.0600$ 6.0000
300+$0.0546$ 16.3800
3000+$0.0457$ 137.1000
6000+$0.0425$ 255.0000
9000+$0.0409$ 368.1000
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Hoja de Datosonsemi MUN5211DW1T1G
RoHS
Temperatura de funcionamiento-55℃~+150℃
TipoNPN
Resistente de insumos13kΩ
Ratio de resistor1
Voltaje de entrada (VI) Ic,Vce)2V
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 NPN (Pre-Biased)
Pd - Power Dissipation256mW
DC Current Gain35
Current - Collector Cutoff100nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Output Voltage(VO(on))200mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.2V

Guía de compra

Expandir