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onsemi MJD112T4G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MJD112T4G |
| Código de Pieza EBEE | E8233690 |
| Paquete | TO-252(DPAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 1000@3V,2A NPN 2A 20W TO-252-2(DPAK) Darlington Transistors ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,Darlington Transistors | |
| Hoja de Datos | onsemi MJD112T4G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Current - Collector(Ic) | 2A | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector Cutoff | 20uA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3V | |
| Transition frequency(fT) | 25MHz |
Guía de compra
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