| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HGTG5N120BND |
| Código de Pieza EBEE | E8442448 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 167W 21A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2996 | $ 3.2996 |
| 10+ | $2.8880 | $ 28.8800 |
| 30+ | $2.3677 | $ 71.0310 |
| 90+ | $2.1212 | $ 190.9080 |
| 510+ | $2.0070 | $ 1023.5700 |
| 1200+ | $1.9544 | $ 2345.2800 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | onsemi HGTG5N120BND | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | NPT (non-penetrating type) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 21A | |
| Disipación de energía (Pd) | 167W | |
| Turno? fuera de horario de demora (Td(off)) | 160ns | |
| Turno? en Tiempo de retardo (Td(on)) | 22ns | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Capacitación de entrada (Cies-Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 2.7V@15V,5A | |
| Total Gate Charge (Qg-Ic,Vge) | 53nC | |
| Diode Tiempo de recuperación inversa (Trr) | 65ns | |
| Turno? Desconseos de la pérdida de apagado (Eoff) | 0.39mJ | |
| Turno? en Switching Pérdida (Eon) | 0.45mJ |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2996 | $ 3.2996 |
| 10+ | $2.8880 | $ 28.8800 |
| 30+ | $2.3677 | $ 71.0310 |
| 90+ | $2.1212 | $ 190.9080 |
| 510+ | $2.0070 | $ 1023.5700 |
| 1200+ | $1.9544 | $ 2345.2800 |
